推迟，KCL,KVL, 欧姆定律在DC下是适用的；而在高频时：器材的特征尺度大于信号波长，这时麦克斯韦方程是适用的，器材具有散布效应(有信号推迟)，也会发生趋肤效应，寄生效应是必需要考虑的领域。如图1所示，是典型的器材的小信号等效电路。能够将其区分为由外部寄生引进的元件（虚线框外）和内部本征元件（虚线框内）两部分，详细包括：Cpgd, Coxg, Coxd, Rpg, Rpd为焊盘引起的寄生元件；Lg, Ld, Ls为馈线电感元件；Rg, Rd,；Cjd, Rsub为漏极和衬底直接的寄生元件；Cgs, Cds, Cgd为MOSFET器材本征
栅极电阻的存在对电路功能的影响很大，会引进热噪声，增大电路的噪声系数，影响晶体管的开关速度和最大振动频率，因而在地图规划时，要考虑尽可能地减小栅极电阻。由地图规划、工艺制程及器材退化等要素导致寄生电阻的发生，对输入/输出阻抗匹配、噪声特性及振动频率等都有很大影响。寄生电阻的提取精度会直接影响全体建模的精确性。因而，怎么精确地提取寄生电阻一直是学术界研讨的热点问题之一。
现在，常用寄生电阻的确认办法最重要的包括Cold-FET办法、正常偏置办法及截止状况办法。今日先来介绍Cold-FET办法。
Cold-FET办法是指令晶体管偏置在强反型区(如Vgs=1.2V且Vds=0V)的状况。在这样的偏置条件下，跨导gm很小，根本为零，可忽略不计，且因为反向PN结引进的衬底寄生的阻抗要远大于源寄生电阻Rs和沟道电阻Rch，所以在此条件下，等效电路模型可简化为图2所示。
由此，依据-ω/lm(Z22)与ω^2联系曲线的斜率和截距即可求得 Cx与Rch。当Cx与Rch确认之后，Rs, Rg和Rd可直接经过核算得到。
